每經(jīng)記者 朱成祥    每經(jīng)編輯 文多    

11月6日，英飛凌在第三屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)上宣布，將新增在華投資，擴(kuò)大其無錫工廠的IGBT模塊生產(chǎn)線。無錫工廠擴(kuò)產(chǎn)后，將成為英飛凌最大的IGBT生產(chǎn)基地之一。英飛凌將以更豐富的IGBT產(chǎn)品線，滿足快速增長的可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

進(jìn)博會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，英飛凌工作人員介紹道：“功率半導(dǎo)體主要應(yīng)用于電力設(shè)備的電能變換和電路控制，比如說強(qiáng)電轉(zhuǎn)為弱電，弱電轉(zhuǎn)為強(qiáng)電。這是因?yàn)閺?qiáng)電功率更大但不安全，因此在實(shí)際使用的時(shí)候才轉(zhuǎn)化為弱電。反之，太陽能電池板發(fā)電后，電力需要向電網(wǎng)輸送，就需要通過逆變器將弱電轉(zhuǎn)換為強(qiáng)電。”據(jù)其介紹，國內(nèi)兩大逆變器廠商陽光電源、華為均大量使用英飛凌的功率半導(dǎo)體。

MOS管（即MOSFET），和IGBT管是目前主流的兩種功率半導(dǎo)體。對(duì)于兩者的區(qū)別，上述工作人員補(bǔ)充道：“IGBT主要控制大功率（電力設(shè)備），MOS管用于控制低功率（電力設(shè)備）。”

英飛凌科技首席運(yùn)營官Jochen Hanebeck表示：“中國在英飛凌的全球業(yè)務(wù)中占有重要的戰(zhàn)略地位。無錫工廠的升級(jí)擴(kuò)能，不僅能進(jìn)一步提升我們?cè)谥袊漠a(chǎn)能，而且還將幫助英飛凌鞏固其在全球IGBT業(yè)務(wù)發(fā)展中的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

英飛凌科技大中華區(qū)首席財(cái)務(wù)官魏惟士在現(xiàn)場(chǎng)接受《每日經(jīng)濟(jì)新聞》記者采訪時(shí)還表示：“我們非常高興地看到中國推出新的政策、新的框架。我們覺得這是非常好的，英飛凌將根據(jù)中國發(fā)展的大框架制定公司戰(zhàn)略。”

封面圖片來源：攝圖網(wǎng)